沈阳富创精密设备有限公司首席技术官杨登亮博士应邀到我院开展专题讲座

为拓宽同学们对半导体行业的认识和了解，激发同学们对科研工作的激情。应我院院长洪明辉教授诚挚邀请，沈阳富创精密设备有限公司首席技术官（CTO）杨登亮博士4月14日莅临我院开展了“3D芯片集成以及半导体设备和零备件材料行业洞察报告”专题讲座。近三十名师生参加讲座。

杨登亮博士长期专注半导体材料的科学和产业技术研发，带领的团队成功开发了两代成套的3D NAND刻蚀工艺，获得了Intel China最高奖和Intel Achievement award (公司最高奖)。 同时他主持的设备和材料国产化项目，成功推动了中国国产设备国际化的进展。

本场讲座杨登亮博士就整个3D芯片以及半导体设备和零备件材料行业未来的发展提出了自己独到的见解。他表示半导体产业是全球经济的支柱产业之一，近年来成为各国争取的战略行业。半导体设备、零部件行业是整个行业的支撑点，目前产业国产化是最为关键的环节。

互动交流环节，洪明辉院长和在场教师就研发成果转化相关方面与杨登亮博士进行了深入探讨。同学们向杨登亮博士就未来的行业选择及职业规划等方面踊跃提问，杨登亮博士给予细致解答，现场氛围轻松热烈。

交流过程中洪明辉院长也提到了为进一步支持发展厦门电子信息与机械装备产业，加速打造国家战略科技力量，拟同厦门火炬高新区与厦门市探讨调研联合共建“光电岛”、光电装备工业研究院项目，“光电岛”、光电装备工业研究院以助力电子信息与机械装备产业升级为核心，专注激光微纳制造及智能光学检测领域。杨登亮博士表示“光电岛”、光电装备工业研究院项目的开展对厦门市未来产业的发展具有重要意义。

杨登亮博士简历

2000 年浙江大学化学工程系和工高班毕业后，2001 年获得新加坡-麻省理工联合培养的微纳系统高新材料硕士, 2007 年获得加州大学圣地亚哥分校材料科学与工程博士。长期专注半导体材料的科学和产业技术研发。 2017-2021 年间曾任英特尔存储研发部门首席工程师，大连技术研发中心（DTD) 资深总监，负责英特尔第五代 3D NAND 核心技术模块开发。杨登亮博士作为 Intel 大连技术指导委员会主任，主持过工艺和设备 5 代技术路线规划和 Fab68 整个 site 人才梯队建设。带领的团队成功开发了两代成套的 3D NAND 刻蚀工艺，获得过Intel China 最高奖和 Intel Achievement award (公司最高奖); 同时也主持过设备和材料国产化项目，成功推动了中国国产设备国际化的进展。杨登亮博士在美国硅谷工作十年。在应用材料公司(Applied Materials)和泛林研发公司(Lam Research), 历任高级工程师, 主任工程师, 资深技术经理等职。工作期间，开发纳米制造薄膜沉积和等离子体蚀刻设备和制程, 推动 65 纳米到 7 纳米六代芯片生产工艺，两度获泛林研发公司杰出贡献奖。参与和主导开发的高纵深比刻蚀机台成为业界垄断产品，主持开发的高选择比刻蚀机台在 7nm & 5nm 量产。