CVD
    • TFS 200等离子增强原子层沉积系统

      技术指标:1、带手动基片传片器。2、热ALD和PEALD两种模式。3、热反应腔最大直径:200mm,最高加热温度:500℃。4、等离子反应腔最大直径:200mm,最高加热温度:450℃。5、样品尺寸:8英寸及以下。6、沉积材料:氧化铝、二氧化铪和氮化钛等纳米薄膜材料。7、厚度均匀性:≤±1.0% (4英寸),或≤±2.0% (8英寸)。

      应用领域:该系统具备热ALD沉积功能和等离子增强ALD工艺模式,可用于8英寸及以下尺寸的基底氧化铝、二氧化铪和氮化钛等纳米薄膜材料的沉积。


    • SI 500D等离子增强化学气相沉积系统


      技术指标: 1、反应腔室本底真空: ≤ 1×10-6mbar。2、反应腔衬底加热温度:20~350℃。3、ICP源功率范围:100~1200W。4、沉积材料:氧化硅、氮化硅、碳化硅。5、厚度均匀性:±5%(8英寸片)。

      应用领域:适用于低温条件下8寸片、4寸片及不规则片氧化硅、氮化硅、碳化硅膜的沉积。

    • ET2000化学气相沉积

       

      技术指标:1、全套石英器件,4条独立控制气路(氩气、氢气、高、低流量甲烷),气体泄漏探测器。2、独立三温区,最高温度1100,恒温均匀性小于0.5。3、不小于98%面积的单层石墨烯。4、100mtorr至500torr真空可控,最低真空50mtorr,单独常压尾气排气管路。5、衬底大小:≤50mm×50mm或2英寸。

      应用领域:专利技术保证高质量石墨烯生长,成熟工艺程序。


    • DF500-6低压化学气相沉积系统

      技术指标:1、适用于硅片尺寸及管路数:6英寸(150mm)及以下尺寸,三管系统。2、装片数量:25片及以下。3、淀积膜种类:氮化硅、低应力氮化硅、多晶硅及低应力多晶硅、二氧化硅。4、淀积膜均匀性:氮化硅3%,低应力氮化硅5%,多晶硅及低应力多晶硅3%,二氧化硅3%。  

      应用领域: 主要用于氧化硅、氮化硅、多晶硅薄膜的沉积。


    • L4514程控扩散炉-2

      技术指标:最高温度:1150℃;
              恒温区长度:350mm;
              最大可控升温速度(400℃~ 1150℃):15℃/min;
              最大降温速度(1150℃~ 900℃):5℃/min。

      应用领域:供2英寸硅片退火及硼扩散等工艺使用。


    • L4514程控扩散炉-1

      技术指标:最高温度:1150℃;
              恒温区长度:350mm;
              最大可控升温速度(400℃~ 1150℃):15℃/min;
              最大降温速度(1150℃~ 900℃):5℃/min。

      应用领域:供2英寸硅片氧化、退火等工艺使用。


    • 4473微控扩散炉—2

      技术指标:最高温度:1150℃;
              恒温区长度:760mm;
              最大可控升温速度(400℃~ 1150℃):15℃/min;
              最大降温速度(1150℃~ 900℃):5℃/min。

      应用领域:供4英寸硅片硼扩散等工艺使用。


    • 4473微控扩散炉-1

      技术指标:最高温度:1150℃;
              恒温区长度:760mm;
              最大可控升温速度(400℃~ 1150℃):15℃/min;
              最大降温速度(1150℃~ 900℃):5℃/min。

      应用领域:供4英寸硅片氧化、退火等工艺使用。