测试
    • Dektak-3 薄膜厚度测试仪

      技术指标:最大晶圆尺寸:4英寸(100mm);测量厚度范围:≤60µm。

      应用领域:应用于触摸屏、半导体、太阳能、超高亮度发光二极管(LED)、材料科学、微电子、金属等领域,实现纳米级表面的厚度测量。

    • 原子力显微镜

      技术指标:1、形变噪音:<20pm。2、XY传感器噪音:<60pm;Z传感器噪音:<50pm。

      使用大范围扫描(>1μm)的反馈增益设置仍可以在闭环扫描条件下得到清晰的原子晶格结构(<10nm)。

      应用领域:纳米AFM成像及纳米结构的电学、摩擦学等研究。

    • SUPRA 55 场发射扫描电子显微镜

      技术指标:1、分辨率:0.8nm@15kV,1.6nm@1kV,2.0nm@30kV(VP mode)。2、放大倍数:12~1,000,000×。3、加速电压:0.02 ~30kV。4、探针电流:4pA~20nA(12pA~100nA可选)。5、样品室:Φ330mm×270mm。6、样品台:五轴优中心全自动型,X = 130mm,Y = 130mm,Z = 50mm,T=-3to70°,R=360°连续旋转。7、系统控制:基于Windows的SmartSEM操作系统,可选鼠标、键盘、控制面板控制。

      应用领域: 适用于各种样品的微观形貌观察和分析,结合EDS能谱仪可进行样品微区成分定性和定量以及元素分布分析。

    • OLS1200激光共聚焦扫描显微镜

      技术指标:1、2D测量,最适合于1.5mm~1μm范围的测量,不仅是线宽度,也能进行圆的直径等几何测量。2、3D测量,最适合于1mm~0.5μm的高度测量,并能提供真实精确的3D效果图片。体积/容积、表面积等3D测量。3、高分辨率观察,实时观察,可以分辨0.15μm的线和点。4、最大观察范围是3620×3620μm。

      应用领域:各种元器件的结构和图形的二维表面和三维形貌测量

    • SCS-4200半导体参数测试系统

      技术指标: 1、IV测量:电压范围:-20V~+20V,电流范围:100fA~0.1A。2、CV测量:电压范围:-20V~+20V ,电容范围:10fF~2nF,电导范围:0.1nS~1uS,测量频率:100KHz/1MHz。3、兼容性:其硬件选项包括开关矩阵、Keithley与Agilent C-V仪以及脉冲发生器多种选择。

      应用领域:主要用于实验室级的器件直流参数测试、实时绘图与分析、具有高精度和亚fA级的分辨率。

    • SCG 高低温真空探针台

      技术指标:1、六个探针臂接口,可以安装六个探针臂。2、一个CF40 真空抽气口,一个快速破真空进气口。3、载物Chuck 温度范围:4K-500K ;CF法兰接口,系统极限真空优于5*10-6Pa。4、漏率优于:1.3*10-10Pa.M3/s;探针X-Y-Z三方向移动,行程:25.4mm,定位精度:10μm。5、双屏蔽chuck高低温时达到100FA 的测试精度。

      应用领域:能够实现样品在低温真空环境的测试,实现样品在10-4 PA 真空度,4.2K 到480K 任意温度点的精确电学测量。

    • ZNB8 矢量网络分析仪

      技术指标:1、网络分析:频率范围:9kHz~6GHz;测量时间(201个测量点,已校准的双端口):<75 100=""s="">115dB,典型值为123dB;输出功率:>0dBm,典型值为 +10dBm;测量带宽:10Hz~500kHz(1/2/5步。2、频谱分析:频率范围:9kHz~6GHz;频率误差:1×10-6;带有R&S SL-B4选项:1×10-7。3、分辨率带宽:标准300Hz~10MHz(1/3 步),零档时为20MHz;带有R&S SL-B7选项:1Hz~10MHz(1/3步);视频带宽:10Hz~MHz;I/Q解调带宽:20MHz;500 MHz时的典型相位噪声:-100dBc(1Hz),10 kHz载波偏置;显示的平均噪声级别:1GHz时,不带前置放大器时<–140dBm(1Hz)。1GHz时,带前置放大器时<-156 1=""dbm="" -163="">+5 dBm,典型值+12dBm;检测器:正/负峰值、自动峰值、RMS、准峰值、平均值、取样;电平测量误差(95%置信电平):<0.5dB。

      应用领域:可以分析各种微波器件和组件。它具有频域和时域两类测试功能,可以很好地完成诸如滤波器、放大器、混频器以及系统中有源和无源微波组合等的各种参数的调试、测试。可同时测量被测网络的幅度信息和相位信息。接收机采用调谐接收,具有选频特性,能够有效抑制干扰和杂散,动态范围大。

    • 8562EC 频谱分析仪

      技术指标:1、频率范围:内混频:30Hz~13.2GHz,外混频:18GHz~325GHz,频段:5.86GHz~13.2GHz。2、分辨率带宽范围:1Hz~2Mz。3、显示平均噪声电平:30Hz:≤90dBm,1KHz:≤105dBm,10KHz:≤120dBm,100KHz:≤120dBm,1MHz~10 MHz:≤140dBm,10MHz~2.9 GHz:≤151dBm,2.9GHz~6.46GHz:≤148dBm,6.46GHz~13.2GHz:≤145dBm。3、最大动态范围二阶/三阶:95dB/108dB。4、幅度进度(±):2.1dB。5、最大安全输入电平:平均连续功率:±30dBm,峰值脉冲功率:±50dBm。6、最大直流输入电压:直流耦合:±0.2Vdc,交流耦合:±50Vdc。

      应用领域:主要适用于观察和测量信号幅度和信号失真,其显示结果可以直观反映输入信号的傅里叶变换的幅度。傅里叶变化将时域信号作为正弦和余弦的集合映射到频域内。信号频谱分析的测量范围及其宽广,超过了140dB。这些能力是频谱分析成为特别适于现代通信领域的多用途仪器。频谱分析实质上是考察给定信号源、天线或信号分配系统的幅度与频率的关系。这种分析能给出有关信号的重要信息,如稳定度、失真、幅度以及调制的类型和质量。利用这种信息,可以进行电路或系统调节,以提高效率或验证在所需要的信号发射和不需要的信号发射方面是否符合不断涌现的各种规章条例。

    • 4294A 阻抗分析仪

      技术指标:1、频率范围:40 Hz~110MHz,频率分辨率:1mHz ,频率精度 ±20ppm。2、阻抗范围:25mΩ~40MΩ,基本阻抗精度(四端对):±0.08%。3、直流偏置电平:0~40V,0~±100mA(提供自动电平控制功能),直流偏置电平分辨率:1mV/40μA ,直流偏置电压精度: ±(0.1%+(5+30*Imon(mA)) mV,直流偏置电流精度: ±(2%+(0.2*Vmon(V)/20) mA。4、测量参数|Z|,R-X,s-Rs,Ls-Q,Cs-D,|Y|-θ,G-B,Lp-Q,Cp-G,Gp-Q,Cp-D,|Z|-Ls,|Z|-Cs,Z|-Cp,|Z|-Cp,|Z|-D,|Z|-Ls,复合参数Z-Y,Lp-Rp,Cp-Rp。

      应用领域:适于绝大多数块体材料的基本的物理参数的测量,由于其可以测量微小信号,同时适合于测量单根纳米材料的基本物理特性,是现代功能材料实验室必备的基本的测试仪器。另外,在某些情况下,器件的阻抗值比它的L、C、R值更为重要,阻抗随频率和其它参数的变化具有首要意义。

    • IDSpec ARCTIC显微共焦拉曼光谱仪

      技术指标:1、光谱灵敏度:Si的三阶峰信噪比好于15:1,能检测到Si的四阶峰。2、光谱重复性:≤ +/-0.2cm-1。3、光谱分辨率:≤1.5cm-1

      应用领域:主要用于物质的结构测定、成分分析和物理化学性质的测定。

    • Nicolet is10傅立叶红外光谱仪

      技术指标:光谱范围:7800~350 cm-1(标准);分辩率:0.4cm-1;峰-峰噪声:<1.3X10-5Abs;ASTM 线性度:<±0.1%T;波数精度:0.01cm-1

      应用领域:确认材料;识别未知物及混合物样品;辨认混合物成分。

    • XRD-7000 X射线衍射仪

      技术指标:X射线发生器最大输出:3KW;电压稳定度:0.0001%;测角仪:θ/θ测角仪;最小步进角度:0.0001°。

      应用领域:能精确地对石墨烯、粉末及体状材料样品的物相进行定性定量分析。

    • C-THERM TCI导热系数仪

      技术指标:1、测量技术:采用改进型瞬态平面热源法,可单面探头直接测试的无损检测技术。2、测定范围:0-500W/mK。3、温度范围:-50℃—200℃。4、测量时间:0.8-2.5s。5、测量精度:1%。6、测试样品范围:固体、液体、粉末和胶体。7、测量样品尺寸:样品无需特殊设备进行制样,固体最小样品尺寸只需17mm直径即可。8、必须配有传感器和温度控制箱的专用连接转换件,保证温度控制准确。9、配有专用小剂量单位,用于快速准确测量液体,粉末及胶体等。10、配有专用不锈钢底座,保 证传感器的长期稳定性。11、配有导热系数仪传感器专用存储保护箱。12、同一主机,可快速升级热膨胀模块。测量材料热膨胀性能。13、提供至少三种标准样品供检测使用。

      应用领域:可以实现热导率和热扩散系数的快速、非破坏性测试,简便、精确的进行热物性的测试,为实验室研究、工厂质量控制以及生产控制提供了极大的方便。

    • LFA467激光导热仪

      技术指标:1、温度范围:-100℃—500℃。2、采样速率:2MHZ。3、两种检测器:锑化铟(InSb):室温-500℃;碲镉汞(MCT):-100℃-500℃。4、气氛:可选择三联的固定流量开关和三路质量流量控制器(一路保护气,两路吹扫气)。

      应用领域:可测量除绝热材料以外的绝大部分材料,特别适合于中高导热系数材料的测量。除常规的固体片状材料测试外,通过使用合适的夹具或样品容器并选用合适的热学计算模型,还可测量诸如液体、粉末、纤维、薄膜、熔融金属、基体上的涂层、多层复合材料、各向异性材料等特殊样品的热传导性能。

    • DSC214差示扫描量热仪

      技术指标:1、温度范围:-170°C-600 /700°C(不同炉体);温度重复性:± 0.01°C(标准金属);温度准确度:0.1°C(标准金属);升/降温速率:0.001K/min -500K/min。2、In响应比率:>100 mW/K。3、DSC量程:750 mW。4、热焓灵敏度:0.1μW。5、热焓精度:0.05% (标准金属)。6、气氛:静态及动态,惰性、氧化、还原。

      应用领域:比热测量,选件可选冷却设备,压缩空气、机械、液氮(可以单独或同时连接多种冷却装置,通过软件切换)。

    • D41-11B/ZM型微控四探针测试仪

      技术指标: 1、测量范围:①电阻率ρ:6×10-3 ~5×104Ω•cm;②方块电阻Rs/□:10-1~9×105Ω/□;③电阻R:3×10-2~2×105Ω。2、精度:±5%。3、样片台直径:180mm。

      应用领域:1、测量硅单晶的体电阻率。2、测量掺杂半导体,如扩散层及异型外延层电阻。3、测量金属层电阻。