刻蚀
    • Alcatel深硅刻蚀系统

      技术指标:适用于4英寸及以下尺寸的硅片刻蚀;使用气体有:SF6,C4F8,O2;掩膜材料可以是光刻胶和氧化硅;刻蚀深宽比20:1以内;同时兼有常温BOSCH工艺和低温CRYO工艺。

      应用领域:硅深槽刻蚀。

    • SI500 电感耦合等离子刻蚀机

      技术指标:1、本底真空:<1x10-6mbar(7.6x10-4mTorr)。2、6路气体:六氟化硫、三氟甲烷、氩气、氧气、氮气(吹扫用)、氦气(背冷却用)。3、样品通过预真空室装载,碎片需使用载片器(托盘)。取-放系统保证了衬底操作的洁净与安全。预真空室有可编程的吹扫循环工艺、确保操作者安全和腔室洁净。4、一个射频发生器(13.56 MHz, 600 W)用于下电极偏置,另一个用于驱动ICP源(13.56 MHz, 1200 W)。5、样品尺寸:≤8英寸。

      应用领域:特别适用于刻蚀在半导体(例如硅)衬底上的微纳结构和介质膜。