镀膜
    • JC500-3D 磁控溅射机

      技术指标:极限真空8×10-4Pa;两个直径为100mm的磁控靶;一套直流靶电源,功率为1KW;一套13.56MHZ的射频电源,功率为1KW;样品尺寸:≤4英寸。

      应用领域:主要用沉积金属膜和非金属膜。

    • JS3X-100B 溅射台

      技术指标:1.极限真空8.0×10-4Pa。2.三个直径为100mm的磁控靶,靶基距为8cm不可调。3.一套直流靶电源,功率为2KW。一套13.56MHZ的射频电源,功率为1.5KW。4.工件转盘转速0-20转/分可调。5.适合4英寸及以下各种规格基片。

      应用领域:主要用于沉积金属膜。

    • Explorer-14 磁控溅射镀膜系统

      技术指标:1、3支3英寸磁控溅射靶。2、基片加热器采用高温加热材料,最高温度可达到600℃。3、真空性能:A. 极限真空(Ultimate Pressure):1E-7Torr;B. 真空抽速:30分钟从大气压抽到5E-6Torr;C.真空室漏率:5E-5Torr.L/s。4、镀膜均匀性和重复性:在4英寸衬底厚度均匀性优于±5%,重复性优于±3%。5、样品尺寸:≤6英寸。

      应用领域:主要用于加工沉积高质量、厚度精确控制的金属薄膜和介质薄膜。

    • ZZSX-500C 真空镀膜机

      技术指标:1、极限真空5×10-4Pa。2、蒸发源:DZQ10/4磁偏转e型电子枪一套。功率:10KW,电压:6KV、10KV,束流:0~1A可调,坩埚数:4,坩埚容量:40ml。3、适合4英寸及以下各种规格基片。

      应用领域:主要用沉积金属膜。

    • Qprep400 磁控溅射系统

      技术指标:1、5支2英寸磁控溅射靶枪。2、基片加热器采用高温加热材料,最高温度可达到800℃。3、溅射方式:为避免微粒物质落到基片上,采用基片在上、磁控溅射靶在下的结构,即由下向上溅射。4、工作模式:可以采用单靶独立、多靶轮流或组合共溅工作模式,向心溅射。5、溅射镀膜室的极限真空:5 x 10-10torr。6、样品尺寸:≤4英寸。

      应用领域:适用于镀制各种单层膜、多层膜。可镀金属、合金、化合物、半导体、陶瓷膜(需配射频电源)、介质复合膜和其它化学反应膜。