光刻&键合
    • MA6光刻机

      技术指标:1、宽带光源365,紫外接近,接触式光刻,可实现双面对准。2、最大曝光面积φ100mm。分辨率:1μm。套刻精度:±1μm。2、样品大小:≤4英寸,厚度小于3mm。3、光刻板尺寸:4寸样片5寸版,3寸以下样片4寸或5寸版。

      应用领域:将芯片制作所需要的线路与功能区图形从掩膜板复制到样品上。光刻机发出的光通过具有图形的掩膜版对涂有光刻胶的样片曝光,利用感光后的光刻胶在溶液中的溶解速度不同实现图形的复制。

    • OAI光刻机

      技术指标:掩模版适用尺寸:五英寸;基片尺寸:4英寸及以下不规则形状基片;汞灯功率:350W;分辨率:2μm。

      应用领域:单面对准曝光。

    • Q150微波等离子体去胶机

      技术指标:主腔室材料:石英;主腔室容积:6升;主腔室尺寸:直径150mm,深度260mm;工艺压力:1-100Pa;样品大小≤4英寸。

      应用领域:可以基片表面活化,可去除不同厚度的光刻胶。

    • AWB04芯片键合机

      技术指标:最高温度:550 ℃;最大电压:2.5 KV;最大压力:2 KN;真空度:1×10-4mbar。

      应用领域:该芯片键合机可实现阳极键合、硅硅直接键合、融熔键合、热压键合等多种圆片级键合形式。